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肖特基二极管和银河电子城有什么区别呢,详解!

信息来源:本站 日期:2017-10-09 

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银河电子城(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用皇冠体育直播。

银河电子城的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片www.hg1088.com。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以银河电子城的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高hg0088.com。

银河电子城

通常,5~20A的银河电子城管采用TO–220FP塑料封装,20A以上的大功率银河电子城采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装,5A以下的银河电子城则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装平博88。

采用TO–220或TO–3P封装的大功率银河电子城,有单管和双管之分12博 89168澳门官方。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴bte365。

1.性能特点

1)反向恢复时间

反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔m88明陛现在在升级吗。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标威廉希尔官网。反向恢复电流的波形如图1所示白金会.-娱乐集团。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流hg0088.com开户。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM博狗体育。当t≤t0时,正向电流I=IF00千亿国际。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0球探比分网即时比分。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值bet36官网。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irrmanbetx体育。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处陕西福利彩票双色球。

2)快恢复、超银河电子城的结构特点

银河电子城的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片新2。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压nba竞猜。银河电子城的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏0088足球吧。超银河电子城的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒bogou88。

20A以下的快恢复及超银河电子城大多采用TO-220封装形式狗万冲值。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种皇冠蓝球比分。对管内部包含两只银河电子城,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分大赢家篮球比分。图2(a)是C20-04型银河电子城(单管)的外形及内部结构华球足球比分。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超银河电子城的外形与构造新加坡军警俱乐部。它们均采用TO-220塑料封装,

几十安的银河电子城一般采用TO-3P金属壳封装球探体育比分老版本。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式新皇冠体育网站。


2.检测方法

1)测量反向恢复时间

测量电路如图3真人百家乐。由直流电流源供规定的IF,脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子示波器观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间本港同步现场开奖直播。设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式:

trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)

由式(5.3.1)可知,当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短2020注册送体验金。

2)常规检测方法

在业余条件下,利用万用表能检测快恢复、超银河电子城的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降皇冠体育赛事。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压网络电玩游戏平台。实例:测量一只C90-02超银河电子城,其主要参数为:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V棒球比分。外型同图(a)新宝3注册q2688。将500型万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大测试365。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V澳门永利xb1.com。证明管子是好的亿万先生71966澳门永利平台。


注意事项:

1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的竞彩足球app下载。

2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用吉祥棋牌亚洲首选288x。

3)测正向导通压降时,必须使用R×1档多宝时时彩平台。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低风云直播cctv5。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格银河-选威尼斯人注册送56元。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)光速体育。


肖特基二极管和银河电子城又什么区别

银河电子城是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构hg0088.com。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下平博88。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级12博 89168澳门官方。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下bte365。

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合m88明陛现在在升级吗。

这两种管子通常用于开关电源威廉希尔官网。

肖特基二极管和银河电子城区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!

前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!

银河电子城在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前银河电子城主要应用在逆变电源中做整流元件白金会.-娱乐集团。


肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间hg0088.com开户。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管博狗体育。其正向起始电压较低牛牛水果大餐。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料球探比分网即时比分。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体银河国际亚洲首选288x。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多54体育。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件万博manbetx下载。其工作频率可达100GHz博营网。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管皇冠赌场亚洲首选288x。

银河电子城:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形35体育。银河电子城在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前银河电子城主要应用在逆变电源中做整流元件cctv5全讯直播。

快速恢复二极管,顾名思义,是比普通二极管PN结的单向导通阀门恢复快的二极管!用途也很广泛风云足球直播吧。

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